作业帮请描述SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存储原理此题属于微机原理问题,回答要详细具体!
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/28 02:04:47
请描述SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存储原理此题属于微机原理问题,回答要详细具体!
请描述SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存储原理
此题属于微机原理问题,回答要详细具体!
请描述SRAM,DRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM基本存储原理此题属于微机原理问题,回答要详细具体!
SRAM 静态RAM（Static RAM / SRAM）,SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.
DRAM 动态RAM（Dynamic RAM / DRAM）,DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的
ROM指的是“只读存储器”,即Read-Only Memory.这是一种线路最简单半导体电路,通过掩模工艺,一次性制造,其中的代码与数据将永久保存,不能进行修改.在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM（Read Only Memory,只读存储器）中.如果发现内部数据有错,则只有舍弃不用,重新订做一份.
PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory.这样的产品只允许写入一次,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM).PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的.PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果.另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可.PROM一旦写入后无法修改,若是出了错误,已写入的芯片只能报废.
EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”,即Erasable Programmable Read-Only Memory.它的特点是具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程,但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间.这一类芯片特别容易识别,其封装中包含有“石英玻璃窗”,一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住,以防止遭到阳光直射
EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory.它的最大优点是可直接用电信号擦除,也可用电信号写入.鉴于EPROM操作的不便,后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM.EEPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚.EEPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片.借助于EEPROM芯片的双电压特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升级时,把跳线开关打至“ON”的位置,即给芯片加上相应的编程电压,就可以方便地升级；平时使用时,则把跳线开关打至“OFF”的位置,防止病毒对BIOS芯片的非法修改.